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Verstärkungseigenschaft eines Transistors

In der Praxis wird ein Transistor häufig zur Verstärkung von Wechselspannungen eingesetzt. Hierfür legt man in einem gewählten Arbeitspunkt (also einem eingestellten Gleichspannungsoffset) an Basis und Emitter eine Wechselspannung an. Diese wird dann verstärkt über Emitter und Kollektor abgegeben, wobei das Signal je nach Arbeitsbereich und vorliegender Amplitude mehr oder weniger stark verzerrt wird. Die Verstärkung ist ebenfalls von der Größe des am Kollektorkreis anliegendenden Widerstandes abhängig. Die Werte für Strom- und Spannungsverstärkung lassen sich mit Hilfe der Hybridparameter wie folgt berechnen:
Stromverstärkung:
$\displaystyle v_I = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$ = $\displaystyle \frac{h_{21}}{1 + h_{22}R}$ (1)

Spannungsverstärkung:
$\displaystyle v_U = \frac{\Delta U_CE}{\Delta U_BE}$ = $\displaystyle - \frac{R \cdot h_{21}}{h_{11} + R(h_{11} h_{22}- h_{12} h_{21})}$ (2)



Tim Paehler
1998-10-30