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Transistoren bestehen nun im wesentlichen aus drei Halbleiterschichten,
dem Emitter, der Basis und dem Kollektor, wobei die Basis gegenüber den
beiden anderen Schichten äußerst dünn ist. Legt man nun an Emitter und
Kollektor eine Spannung an, so verhält sich der Transistor wie zwei
hintereinandergeschaltete n-p- und p-n-Dioden: Er sperrt. Wenn man allerdings
auch die Basis gegenüber dem Emitter auf ein entsprechendes Potential legt,
so wird die Sperrschicht zwischen diesen so weit verringert, daß (aufgrund der
geringen Schichtdicke der Basis) ein sehr viel größerer Strom zwischen Emitter
und Kollektor fließt. Die quantitativen Beschreibung dieses Effektes soll in
dem vorliegenden Versuch untersucht werden.
Tim Paehler
1998-10-30